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論文

Kinetic energy released distributions of ions desorbed from H$$_{2}$$O/Si(100) adsorption system by O 1s excitation

関口 哲弘; 池浦 広美*; 田中 健一郎*; 小尾 欣一*

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 80, p.65 - 68, 1996/00

 被引用回数:4 パーセンタイル:26.09(Spectroscopy)

H$$_{2}$$O/Si(100)吸着系のO 1s内殻励起光刺激脱離をパルス放射光を用いたTOF法により調べた。脱離機構を調べるために脱離H$$^{+}$$およびO$$^{+}$$イオンの運動エネルギー分布の励起エネルギー依存性を測定した。H$$^{+}$$イオンでは分布は近似的に3成分の和で表わされる。励起エネルギー依存性から、各成分は、それぞれ低エネルギー側から(1)Si-L殻イオン化、(2)O-K殻イオン化、(3)O 1s$$rightarrow$$$$sigma$$$$^{ast}$$共鳴とO 1s、3a$$_{1}$$$$rightarrow$$$$infty$$$$infty$$シェイク・オフ過程の重なり、に相当すると考えられた。O 1s$$rightarrow$$$$sigma$$$$^{ast}$$共鳴では、最高運動エネルギー成分のH$$^{+}$$脱離には$$sigma$$$$^{ast}$$(O-H)軌道の反結合性が寄与していると考えられる。O$$^{+}$$イオンの分布は3成分解析された。第2成分はO 1s、3a$$_{1}$$$$rightarrow$$$$infty$$$$infty$$シェイクオフ過程に相当し、最高運動エネルギー成分はO 1s、2a$$_{1}$$$$rightarrow$$$$infty$$$$infty$$シェイクオフ過程に相当する。2a$$_{1}$$軌道はSi-O-H全体の強い結合性軌道である。そのため、そこにホールを空けるとSi-O結合間に大きな反発力を生じ、高い運動エネルギーのO$$^{+}$$が脱離する。

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